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制造商型号 2SB1132FD5T100R
晶体管类型 PNP
集射极击穿电压(Vceo) 32V
集电极电流(Ic) 1A
功率(Pd) 2W
集电极截止电流(Icbo) 500nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 200mV@500mA,50mA
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 180@100mA,3V
特征频率(fT) 150MHz
工作温度 +150℃@(Tj)
ROHM(罗姆)热销型号
关于2SB1132FD5T100R
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